évaporation par faisceau électronique

Physique, Technique, IndustrieVariante de évaporation par faisceau d’électrons (cf. pour autres informations) : évaporation sous vide, où le chauffage de la matière à déposer se fait par faisceau électronique.A titre de comparaison, notons que les valeurs du coefficient R trouvées par V. Stary et al. [32] pour les couches minces de Ni déposées par évaporation par faisceau électronique sur des substrats de mica et pour une épaisseur t = 4 nm, sont comprises entre 0.3 et 0.7, après un traitement thermique.À titre de comparaison, on peut noter que des couches minces de platine (Pt) ayant une épaisseur d'environ 10 nm, fabriquées dans les conditions optimales à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique, augmentent la rugosité du substrat de silicium (Si) de 0.28 - 0.6 mm [12]. Il est à noter que les surfaces des couches fabriquées par pulvérisation ont généralement une rugosité plus petite que celles fabriquées à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique [12].