1. Électricité, Électroniquerésistance de surface, souvent dans le cas d’une résistance de couche.Outre ces étapes technologiques, des étapes de caractérisation en salle blanche sont prévues: ellipsométrie pour mesurer l’épaisseur et l’indice de la couche anti-reflet SiNx ; mesure par la méthode des quatre pointes de la résistivité du substrat de silicium et de la résistance carrée après dopage, observation au microscope électronique à balayage de la texturation.On peut noter (Tab.I) l’accroissement de la résistance carrée, mesurée aussi bien à 300 K qu’à 4,2 K, avec la température de dépôt du molybdène.